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英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

  • 產(chǎn)品型號:FD800R33KF2C-K
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-01-19
  • 訪  問  量:3760
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詳細介紹

英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K  IHM-A module

VCES = 3300V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A

TypicalApplications
ChopperApplications
TractionDrives

MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability

德國英飛凌(EUPEC) 斬波電路IGBT
DF300R12KE3 FD200R12KE3 FD300R12KE3 FD400R12KF4
FD400R16KF4 FD400R17KF6-B2 FD400R33KF1 FD400R33KF2C
FD400R65KF1-K FD600R12KF4 FD600R17KF6-B2 FD600R17KF6
FD800R17KF6-B2 FD800R33KF1 F4-300R12KF4 F4-400R12KF4
F4-400R12KS4-B2 FD800R33KF2 F4-150R06KL4  
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